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三元化合物X0.5Y0.5O2（X,Y=Si,Ge,Sn）电子结构和光学性质的第一性原理研究
【机构】 先进光子材料和器件重点实验室,复旦大学光科学与工程系；
【摘要】 <正>寻找具有高介电常数的化合物一直是半导体材料研究中的一个重点。已有文献表明,一种被称为反Ag2O结构的高密度立方X0.5Y0.5O2三元化合物具有较高的介电常数,而且与单晶Si（100）表面的晶格常数具有良好的兼容性,预示着一种形成零缺陷超晶格的可能,在未来的微电子行业中具有良好的发展前景。本文采用密度泛函理论框架下的第一性原理对Si,Ge,Sn的氧化物及其X0.5Y0.5O2三元化合物之间的电子结构和光学性质进行了比较。采用超软赝势法,利用广义梯度
- 【会议录名称】 上海市激光学会2009年学术年会论文集
- 【会议名称】上海市激光学会2009年学术年会
- 【会议时间】2009-10-23
- 【会议地点】中国上海
- 【分类号】TN304
- 【主办单位】上海市激光学会