GaMnAs合金的Raman光谱研究

【作者】 马宝珊； 苏付海； 王文杰； 丁琨； 李国华； 赵建华； 邓加军； 蒋春萍；

【机构】 中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室；

【摘要】 <正>近年来,基于同时应用电子的自旋与电荷的半导体自旋电子学得到了迅速发展,GaMnAs合金就是其中的一个重要的铁磁半导体材料。研究表明,空穴载流子对GaMnAs合金的磁性起着关键的作用。但在实际实验中要测量它并非轻而易举。通常,人们通过测量样品的霍耳效应来得到载流子浓度,但由于GaMnAs合金中存在反常霍耳效应,使得利用霍耳效应来测量空穴浓度变得十分困难。近年来,一些研究小组提出,可以利用GaMnAs合金中的空穴等离子体激元与LO模耦合形成的耦更多还原