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GaN纳米材料的拉曼光谱研究
【机构】 北京大学物理系；
【摘要】 <正>GaN作为一种重要的半导体材料,由于它在蓝光或近紫外光光电器件上的应用前景,日益受到人们的广泛关注。纳米材料（纳米线、量子点、纳米棒等）由于它们本身作为量子限制系统展现一系列崭新的物理性质,而成为低维材料物性研究理想的实验对象。本文对由改进的CVD方法生长的GaNNWs直径在4—12nm之间的氮化镓纳米线[1]进行了拉曼光谱的研究。图1是室温下由633nm激发的6aNNWs样品的拉曼光谱。拉曼谱中分别在226.7,297.2,414.8,609.5,672.0和717.2cm-1处有几个显著的拉曼峰。
【基金】 国家自然科学基金委的重大基金No.60290083;面上基金No.50272017;中国科学院红外物理国家重点实验室开放课题基金对本研究工作的资助
- 【会议录名称】 第十二届全国光散射学术会议论文摘要集
- 【会议名称】第十二届全国光散射学术会议
- 【会议时间】2003-10-26
- 【会议地点】中国辽宁大连
- 【分类号】TB383.1;O433
- 【主办单位】中国物理学会光散射专业委员会