ZnO/SiO₂材料的光致发光特性研究

【作者】 陈钧； 冯兆池； 应品良； 李灿；

【机构】 中国科学院大连化学物理研究所催化基础国家重点实验室；

【摘要】 <正>ZnO是一种很常用的半导体材料,近年来自从发现其具有高效率的低压发光性能后¹,对之的研究受到人们的广泛关注,越来越多的工作报道在玻璃上制备ZnO薄膜并研究其发光行为²。另一方面,ZnO作为一种半导体光催化剂也显示了很好的光催化性能³,这与其发光中心有着紧密的联系。但是,ZnO的可见发光带的发光机理尚不清楚。为此,我们采用不同方法制备担载型ZnO/SiO₂材料,将ZnO分散在SiO₂上面,并采用紫外激光诱导发光光谱表征技术对其展开深入研究。光致发光光谱表征在自行搭建的激光诱导荧光光谱仪上进更多还原