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纳米SnO2拉曼光谱及荧光光谱的研究
【机构】 中国科学院物理所；
【摘要】 <正>SnO2是一种宽禁带氧化物半导体（禁带宽度3.89 ev）,属于金红石结构。由于具有优异的光电性能和气敏特性而被运用到气敏元器件、催化剂、电极材料等领域。而纳米SnO2可使SnO2的上述性能得到进一步的提高。有研究表明,纳米SnO2的这些气敏特性及催化作用与材料表面吸附水分子有很重要的关系。本文主要工作是通过对纳米SnO2微粒不同退火温度下制备的材料的拉曼光谱中新峰以及光致发光光谱的分析,来探讨纳米SnO2结构和微结构的情况。
- 【会议录名称】 第十二届全国光散射学术会议论文摘要集
- 【会议名称】第十二届全国光散射学术会议
- 【会议时间】2003-10-26
- 【会议地点】中国辽宁大连
- 【分类号】TB383.1;O433
- 【主办单位】中国物理学会光散射专业委员会