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ZnO纳米管的拉曼光谱学研究
【机构】 北京大学物理学院； 北京大学信息科学技术学院；
【摘要】 <正>ZnO是Ⅱ-Ⅵ族,在室温下能隙为3.36eV的一种宽隙半导体。因其良好的光学、电学、压光、压电性质、强化学稳定性和高熔点,已广泛应用于各种光电系统。实验用的ZnO纳米管样品E是用对Zn和ZnO粉末混合物进行热蒸发的方法得到的。作为比较用的ZnO体材料A是市售的分析纯粉状化学试剂的压片。实验采用了488nm、515nm、633nm、785nm四种激发波长,分别在Renishaw2000和1000的系统上进行。在纳米体系中,尺寸限制效应是它的基本效应之一。对于拉曼光谱,尺寸限制效应主要表现为随体
【基金】 国家自然科学基金委的重大基金No.60290083;面上基金No.50272017;中国科学院红外物理国家重点实验室开放课题基金对本研究工作的资助
- 【会议录名称】 第十二届全国光散射学术会议论文摘要集
- 【会议名称】第十二届全国光散射学术会议
- 【会议时间】2003-10-26
- 【会议地点】中国辽宁大连
- 【分类号】TB383.1;O433.5
- 【主办单位】中国物理学会光散射专业委员会