高功率垂直腔面发射半导体激光器

【作者】 崔大复； 李惠青； 候玮； 张杰； 许祖彦； 宁永强； 晏长岭； 秦莉； 刘云； 王立军； 曹建林；

【机构】 中国科学院物理所光物理重点实验室； 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室； 中国科学院光电研究院；

【摘要】 <正>我们详研究了高功率垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL’s）有源区量子阱层数,材料热导,串联电阻,电极间距等对器件性能的影响,研制出了980 nm In_0.2Ga_0.8As/GaAs VCSEL器件,单管输出功率²W,为目前VCSEL’s最高输出功率。垂直腔面发射激光器的出现是半导体激光器领域的一个革命性的进展。与传统的端发射半导体激光器相比,VCSEL’s具有许多独特的优点,光束对称性好,可被高度聚焦;更多还原