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InN纳米材料发光的蓝移研究
【机构】 先进光子学材料与器件国家重点实验室复旦大学光科学与工程系；
【摘要】 <正>纳米半导体材料与相应的体材料相比,在光学性质,电学性质和光电转换性质方面都有显著的不同,由于在空间三维方向上的量子束缚效应,会引起发射光的波长随颗粒大小而改变。同时量子点中的电子、空穴会被集中在有限的分离能级上,也会提高受激辐射增益。当分立能级的间隙达到一定宽度时,激光发射将不受温度的影响。而这一切对传统的半导体激光器是不可能实现的。本文使用金属In作为放电阴极,采用高压快脉冲放电
【基金】 国家自然科学基金资助项目(批准号:69978005)
- 【会议录名称】 第十届全国基础光学与光物理学术研讨会和第十一届激光物理讨论会论文摘要集
- 【会议名称】第十届全国基础光学与光物理学术研讨会和第十一届激光物理讨论会
- 【会议时间】2002-10-19
- 【会议地点】中国陕西西安
- 【分类号】O482.31
- 【主办单位】中国物理学会光物理专业委员会、中国光学学会基础光学专业委员会