低温生长AlGaAs/GaAs多量子阱载流子动力学研究

【作者】 李春勇； 傅盘铭； 汪力； 张治国； 魏彦锋； 赵士平； 杨乾声； 韩英军； 郭丽伟； 黄绮；

【机构】 中国科学院物理研究所光物理实验室； 中国科学院物理所极端条件物理实验室； 中国科学院物理所表面物理国家重点实验室；

【摘要】 <正>采用分子束外延技术低温生长的量子阱材料具有高的阻抗和超快的载流子复合特性,使其可以应用于光折变以及超快光学元件中。这类材料近年来引起人们广泛关注,并开展了很多有关低温生长材料中载流子寿命的工作;半导体极化相干现象的理论及实验研究是人们关注的又一个热点,人们也对其开展了广泛研究。但是就我们所知,截止目前为止,还没有利用飞秒激光泵浦一探测瞬态反射率变化方法研究低更多还原