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InGaAs/GaAs微结构中的载流子动态特性研究
【机构】 复旦大学物理系； 中山大学激光光谱研究所；
【摘要】 <正> InGaAs/GaAs拉晶格量子阱材料是一种应变型微结构材料,随着结构参数与三元层成份的变化,微结构的电学及光学特性也随之而变,因此有很大的应用前景。我们对于InxGa1-xAs/GaAs单量子阱材料进行了光致发光谱和时间分辨光致发光谱的研究。实验所用的仪器包括同步泵浦染料激光器,配合高重复率条纹相机系统,输出的高重复率激光脉冲亮度在10皮秒左右,接收器可以接收1.35eV以上的发光谱。
- 【会议录名称】 第五届全国基础光学学术报告会和交叉科学中的光学问题讨论会论文集
- 【会议名称】第五届全国基础光学学术报告会和交叉科学中的光学问题讨论会
- 【会议时间】1991-09-27
- 【会议地点】中国甘肃兰州
- 【分类号】TN304
- 【主办单位】中国光学学会基础光学专业委员会