SiH₄分子的单脉冲激光光声光谱

【作者】 张贵银； 张连水； 韩理； 傅广生； 张开锡；

【机构】 河北大学物理系；

【摘要】 <正> 用激光或放电技术在硅烷气体中产生等离子体,制取满足各种不同要求的硅薄膜,是近几年受到广泛重视的研究课题。无疑,研究等离子体过程对弄清硅膜生长机理、表面反应过程及控制实验条件,以进一步提高膜的质量有重要意义。用光学发射光谱（OES）、光声激光偏转、激光诱导荧光等技术,我们已经研究了SiH₄激光等离子体中产生Si、SiH、SiH₂及H等自由基的微观和宏观动力学过程,但在质谱中观测到的重要的自由基种类SiH₃用上述方更多还原