氧化物NiO掺杂对巨介电材料Cacu3Ti4012微观结构和缺陷特征影响的正电子研究

【作者】 陈镇平； 李涛； 代海洋； 项会雯；

【机构】 郑州轻工业学院物理与电子工程学院；

【摘要】 利用XRD、SEM和Raman技术手段研究了NiO掺杂对CaCu₃Ti₄O₁₂+xNiO（x=0,0.003,0.006,0.010,0.015）体系微观形貌和介电性能的影响。利用正电子寿命谱研究了体系的缺陷特征及其对体系介电性能的影响。结果表明,NiO掺杂对体系的微观形貌有明显的影响,适量的掺杂能够促进晶粒生长并因此改善体系的介电性能。正电子寿命结果表明,CaCu₃Ti₄O₁₂+xNiO体内存在着空位型缺陷。随着NiO掺杂量的变化,体内缺陷的类型、尺寸及其分布都发生了变化。过量掺杂样品中,空位型缺陷主要分布在晶界处并因此使晶界变厚。根据IBLC模型,这一结果将会抑制体系的介电性能。综合研究结果表明,体系的微观形貌和缺陷特征都会对体系的介电性能产生影响。更多还原