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铟活化法测量单脉冲低产额D-D中子
【作者】 何铁； 周长庚； 安力； 柯建林； 郑普； 王新华；
【机构】 中国工程物理研究院核物理与化学研究所；
【摘要】 低产额脉冲中子的准确测量是中子物理研究领域的难点问题,为了提高脉冲D-D中子产额测量精度,延伸测量下限,发展了以115In为活化片的测量方法。对样品和测量系统进行了设计,采用蒙特卡罗模拟方法对影响测量不确定度的关键因素进行了分析。分析的结果表明,该方法可将脉冲中子产额测量下限延伸至107中子/脉冲甚至更低。
- 【会议录名称】 第十三届全国活化分析技术学术交流会会议论文摘要集
- 【会议名称】第十三届全国活化分析技术学术交流会
- 【会议时间】2013-09-22
- 【会议地点】中国四川峨眉
- 【分类号】O571.5
- 【主办单位】中国核物理学会活化分析专业组