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氦泡在钨金属表面行为的分子动力学模拟
【机构】 辐射物理及技术教育部重点实验室,四川大学原子核科学技术研究所；
【摘要】 本文采用分子动力学模拟低能氦(He)(≤200 eV)连续轰击高温(≥1500 K)钨(001)表面的过程,研究He的行为和钨表面的反应。在钨表面观察到了氦团簇的形成,氦团簇的尺寸、深度分布和数量与He入射能量、钨基底温度及空位缺陷密切相关。氦团簇在形成过程中产生了间隙钨原子(W),并演化成<111>方向的挤子,同时在(111)面表现为位错或者层错。挤子形成后会被约束在氦团簇附近相当长一段时间,但是一旦脱离约束,将沿<111>方向快速向钨表面迁移,一方面造成W原子在钨表面的堆积,使钨表面生长,一方面释放氦泡的压强,氦泡周围的缺陷随之消失,氦泡可进一步捕捉He原子而长大。氦泡的释放是瞬时的,释放后留下的孔洞会通过周围W原子塌陷的方式进行缓慢的自我修复。
- 【会议录名称】 第十二届全国核靶技术学术交流会会议论文摘要集
- 【会议名称】第十二届全国核靶技术学术交流会
- 【会议时间】2013-08-25
- 【会议地点】中国山东威海
- 【分类号】TG178
- 【主办单位】中国核物理学会核靶专业组