氧氩体积百分比对ITO薄膜性能的影响

【作者】 吴勐； 蒋洪川； 陈寅之； 赵文雅； 蒋书文； 刘兴钊； 张万里；

【机构】 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室；

【摘要】 采用射频磁控溅射制备氧化铟锡（ITO,In₂O₃:SnO₂=90:10质量百分比）薄膜,讨论了溅射气氛中的氧氩体积百分对ITO薄膜的微观结构和电学性能的影响。结果表明:随着氧氩体积百分比的增大,ITO薄膜衍射图谱的（222）面峰强由弱到强变化,当氧氩体积百分比达到3%、4%时,ITO薄膜的（400）面峰强超越了（222）面。随着氧氩体积百分比的增大,薄膜的电阻率显著增大,而沉积速率、载流子浓度和迁移率都降低。更多还原