锶铁氧体垂直磁化膜的择优取向和机理研究

【作者】 惠亚娟； 程伟明； 林更琪； 缪向水；

【机构】 华中科技大学光学与电子信息学院； 华中科技大学武汉光电国家实验室；

【摘要】 本文提出了一种通过两步退火制备La-Co联合取代的锶铁氧体（Sr-M）垂直磁化膜的方法。晶体结构、形貌和静态磁性测量等分析测试充分证实其为具有（0001）择优取向的六角结构,垂直方向矫顽力H_c⊥=4641 Oe显著高于通过脉冲激光沉积方法所制备的薄膜H_c=41000e:同时,其垂直膜面方向矩形比S⊥达到了0.97,而平行薄膜面内方向的矫顽力和矩形比分别只有69 Oe与0.06。为进一步研究SrFe₁₂O₁₉薄膜的生长机理,我们建立了一个该薄膜生长的物理模型,结果表明:六角结构（0001）面的表面能在基底加热的过程中对薄膜的取向和磁性能起了决定作用。较高的Hc⊥和S⊥表明Sr-M薄膜具有垂直各向异性能,并与其良好的织构密切相关。同时,考虑到其优异的抗氧化和较高的矫顽力,这种垂直磁化膜具有降低生产成本的潜能。更多还原