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Al掺杂对SmCo5/Cu薄膜磁性能的影响
【机构】 华中科技大学光学与电子信息学院； 华中科技大学武汉光电国家实验室；
【摘要】 SmCo5薄膜具有极高的单轴磁晶各向异性,能有效克服当前垂直磁记录介质所面临的超顺磁效应问题,是未来超高密度磁记录介质的候选材料。对SmCo5的Co位掺杂非磁性元素可以有效降低晶粒尺寸、隔离晶粒从而降低SmCo晶粒间的交换作用,进而提升SmCo5薄膜的磁性能。本文在优化底层材料与溅射工艺参数的基础上,制备了一系列不同Al掺杂量的Sm（Co,Al）5薄膜,并研究了薄膜磁性能随Al掺杂比例的变化关系。结果表明当Al掺杂比例达到19.1%时,即元素组成接近于SmCo4Al时,薄膜垂直矫顽力最高可达到3740Oe。
- 【会议录名称】 第八届中国功能材料及其应用学术会议摘要
- 【会议名称】第八届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】2013-08-23
- 【会议地点】中国黑龙江哈尔滨
- 【分类号】TB383.2
- 【主办单位】中国仪表功能材料学会、重庆材料研究院、哈尔滨工业大学、《功能材料》期刊社