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半导体的巨磁电阻
【作者】 章晓中；
【机构】 清华大学材料学院；
【摘要】 <正>通过在硅材料里引入二极管来改变载流子的通路和巧妙设计器件的电极位置和几何尺寸,我们发明了一种用硅制备的二极管辅助的几何增强磁电阻器件,该器件在0.06特斯拉和7特斯拉下分别实现了30%和100,000%的磁电阻。研究表明:二极管导致了一个从低电阻态向高电阻态的转变,在转变发生的临界区,磁场可以引起器件电阻的巨大变化,从而在低磁场下得到很大的磁电阻。我们还在
- 【会议录名称】 第八届中国功能材料及其应用学术会议摘要
- 【会议名称】第八届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】2013-08-23
- 【会议地点】中国黑龙江哈尔滨
- 【分类号】TM54
- 【主办单位】中国仪表功能材料学会、重庆材料研究院、哈尔滨工业大学、《功能材料》期刊社