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磁性金属栅功函数的表面和自旋组态效应
【作者】 黄志高；
【机构】 福建师范大学物理与能源学院；
【摘要】 <正>随着产业对更高密度及性能集成电路的迫切要求,栅介质层的厚度正不断的缩小。传统的SiO2栅介质由于不可接受的高栅泄漏电流也逐渐达到其使用的极限,作为可使用代替SiO2的各种高K介质材料成为研究的热门对象。研究表明,高K介质材料与多晶硅不兼容的问题可以有效地通过用金属栅电极代替多晶硅栅电极来解决。那么,金属栅/高k栅介质结构的MOS器件的研究和应用是微电
- 【会议录名称】 第八届中国功能材料及其应用学术会议摘要
- 【会议名称】第八届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】2013-08-23
- 【会议地点】中国黑龙江哈尔滨
- 【分类号】O441
- 【主办单位】中国仪表功能材料学会、重庆材料研究院、哈尔滨工业大学、《功能材料》期刊社