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以Li/Ga为原料N2气氛下GaN粉晶的低温合成
【机构】 中国科学院物理研究所凝聚态物理国家实验室；
【摘要】 以金属锂和金属镓为原料及在1个大气压N2气氛下,首次在低于600℃的温度下,合成了微米尺度的GaN粉晶。利用XRD、SEM、Raman、PL谱对合成产物进行了表征;根据实验结果并结合热力学计算,分析了GaN合成反应机理,证明副产物Li-Ga合金的生成对于GaN的合成起到至关重要的作用,而金属锂氮化过程中放出的热量提高了整个系统的温度,增加了GaN的合成反应速率,此合成反应体现了热力学和动力学的双重贡献。
- 【会议录名称】 第十七届全国晶体生长与材料学术会议摘要集
- 【会议名称】第十七届全国晶体生长与材料学术会议(CCCG-17)
- 【会议时间】2015-08-11
- 【会议地点】中国黑龙江哈尔滨
- 【分类号】O614.371;O78
- 【主办单位】中国硅酸盐学会晶体生长与材料分会