CdSiP₂晶体红外透过均匀性分析

【作者】 林莉； 赵北君； 朱世富； 何知宇； 陈宝军； 孙宁； 黄巍； 杨登辉；

【机构】 四川大学材料学院；

【摘要】 CdSiP₂晶体是目前综合性能最好的中红外高功率激光频率转换新材料之一,其透明范围宽,非线性光线系数大,双折射大,热导率高,抗光损伤阈值高。特别是CdSiP2晶体可使用目前成熟的1.06μm-YAG激光泵浦输出4m以上激光,在红外跟踪和激光医学等军事、民用领域有重要应用前景。但是采用布里奇曼法生长的CdSiP₂晶体中常常存在一些影响晶体光学均匀性的本征缺陷,制约了晶体的广泛应用。本文采用AIM-8800红外显微镜分别在1300¹400cm^-1、1400¹ 500cm^-1、5000⁶000cm¹波段对CdSiP2晶体退火前后的红外透过均匀性进行了测量,结果表明,CdSiP₂晶体经真空、CdSiP₂粉末包裹、富Cd气氛、富P/Cd（质量比为2:1）等条件退火后,晶体的红外透过率整体上均得到提高,同时,红外均匀性也得到了改善。其中在Cd气氛下退火对晶体红外透过均匀性的改善效果最好,其次是CdSiP₂粉末包裹条件下的退火。研究结果表明,红外透射Mapping图像测试法是一种快捷表征晶体红外波段光学均匀性、评价晶体光学质量的有效分析方法。更多还原