过饱和度对KDP晶体台阶推移影响的研究

【作者】 李伟东； 于光伟； 王端良； 刘琳； 黄萍萍； 余波； 汪彦春； 王圣来；

【机构】 山东大学晶体所；

【摘要】 运用原子力显微镜(AFM)技术对在相同的生长温度,不同的过饱和度条件下生长的KDP晶体{100}面生长台阶的推移规律进行了系统的研究。结果表明:随着过饱和度的增加,台阶的形态、聚并程度、高度、宽度以及斜率都有着显著的变化。当过饱和度σ=0.05时,台阶的平均宽度和高度最大,聚并台阶的宽度为0.96~1.7μm,高度为5.8nm~11.0nm,即聚并台阶由16~30个基本台阶堆积而成;当过饱和度σ=0.06时,台阶呈现出最大的斜率,其值为12.14×10;当过饱和度σ=0.07时,台阶的弯曲程度最小,台阶边缘笔直,每一个宏台阶都伴随着显著的基本台阶的堆积。更多还原