优质ZnGeP₂晶体:水平梯度冷凝法生长与性能表征

【作者】 康彬； 窦云巍； 唐明静； 袁泽锐； 方攀； 张羽； 陈莹； 尹文龙；

【机构】 中国工程物理研究院化工材料研究所； 四川省新材料研究中心；

【摘要】 本论文对水平梯度冷凝法生长高品质ZnGeP₂晶体进行了研究,为国内首次。使用自制的双温区机械震荡管式炉进行ZnGeP₂多晶合成,单次合成量超过500g;采用水平梯度冷凝法在自制多温区水平晶体生长炉中进行晶体生长,成功生长出350-395g大尺寸单晶,最大尺寸达25×32×165mm³。所生长的晶体摇摆曲线半峰宽在33″到42″之间并且峰型锐利、对称。红外透过率测试显示生长的晶体在3-8μm的吸收系数小于0.01cm^-1,在2μm处吸收系数小于0.03cm^-1。制备出ZGP光学参量震荡（OPO）器件并且在2μm激光泵浦下成功输出3-5μm可调谐激光,光光转化效率达56.2%。这些研究结果表明我们生长的晶体具有较高的品质,满足应用要求。更多还原