半直立的带金属头的碳化硅纳米线阵列场发射性能的研究

【作者】 陈友强； 张新霓； 谢志鹏；

【机构】 青岛大学物理科学学院； 清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室；

【摘要】 <正>采用有机前驱体热解法制备了半直立的带金属头的碳化硅纳米线阵列。采用XRD、SEM、TEM等对带金属头的碳化硅纳米线进行了系统的分析与表征。结果表明:碳化硅纳米线的直径为几百纳米,长度为几~十几个微米的单晶结构,生长方向为[111]。并对带金属头的碳化硅纳米线阵列的场发射性能进行了研究,结果表明其具有较好的场致电子发射的能力。更多还原