【作者】 王立新； 高博； 王春林； 赵发展； 刘刚；

【Author】 WANG Li-xin;GAO Bo;WANG Chun-lin;ZHAO Fa-zhan;LIU Gang;Institute of Microelectronics Chinese Academy of Sciences;

【机构】 中国科学院微电子研究所；

【摘要】 功率VDMOS是各类电子系统的关键元器件,其稳定性直接影响整个电子系统的稳定,特别是在辐照环境下的稳定性,直接影响到重要的电子系统稳定性。本文从功率VDMOS器件的结构出发,介绍了瞬态剂量率对功率VDMOS影响机理,并通过相应的方法对器件进行加固。试验证明加固措施是有效的,能够改善器件的瞬态剂量率辐照下的生存能力。更多还原

【Abstract】 Power MOSFET is the key device for the electric systems,and its stability is very important for the whole systems’ working,especially in the radiation environment.In this Paper,the mechanism of the response of power MOSFET in high dose rate are represented,and the hardening methods are given.Experiment results show that the methods have effects.更多还原