【作者】 郝瑞亭； 徐应强； 周志强； 任正伟； 牛智川；

【Author】 HAO Rui-ting XU Ying-qiang ZHOU Zhi-qiang REN Zheng-wei NIU Zhi-chuan (State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China)

【机构】 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室；

【摘要】 采用分子束外延方法在 GaAs(100)衬底上生长 GaSb 体材料,以此 GaSb 为缓冲层生长了不同 InAs 厚度的 InAs/GaSb 超晶格,其10 K 光荧光谱峰值波长在2～2.6 μm。高分辨透射电子显微镜观察证实超晶格界面清晰,周期完整。InAs/GaSb 超晶格材料的成功生长是制备这类红外探测器件重要的第一步。更多还原

【Abstract】 InAs/GaSb superlattices(SLs)with different InAs thicknesses were grown on GaSb thick buffer layers by molecular beam epitaxy on GaAs(001)substrates.The peak wavelengths of photoluminescence spectra taken at 10 K are between 2～2.6μm.High-resolution transmission electron microscopy shows that the SLs have clear interfaces and integrated periods.The successful growth of InAs/GaAs superlattices is the first important step for the fabrication of the infrared photodetectors.更多还原