【作者】 缪国庆； 张铁民； 金亿鑫； 蒋红； 李志明； 宋航；

【Author】 MIAO Guo-qing ZHANG Tie-min JIN Yi-xin JING Hong LI Zhi-ming SONG Hang (Key Laboratory of Excited State Processes,Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,Chinese Academy of Sciences,Changchun 130033,China)

【机构】 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室；

【摘要】 采用 LPMOCVD 技术生长了 In_0.53Ga_0.47As 红外探测器器件结构材料,其晶格失配为 2.19×10^-4。利用锌扩散制备探测器单元和1×256线列器件,光谱响应范围为0.90～1.70μm,量子效率为73%,在零偏压下,暗电流为1.62×10^-8A,动态零压电阻为2.72×10⁵ Ω。单元探测器波段探测率为1.71×10¹² cmHz^1/2W^-1。更多还原

【Abstract】 The In_0.53Ga)（0.47）As/InP detector material was grown by low pressure metalorganic chemistry vapor deposition.The lattice mismatch is 2.19×10^-4.The detector was fabricated by Zn diffusion.The range of spectral responsivity is 0.90～1.70μm.The quantum efficiency is 73%.At a bias of zero V,the dark current is 1.62×10^-8 A,the resistance at zero V is about 2.72×10⁵ Ω.The detectivity is 1.71×10¹² cmHz^1/2W^-1.更多还原