【作者】 何小青； 梁汉东； 许世波；

【Author】 HE Xiao-qing~1 LIANG Han-dong~(1,2) XU Shi-bo~2 1.State Key Laboratory of Coal Resources and Safety Mining,Beijing 100083,China 2.Institute of Surface & Interface Chemistry,China University of Mining and Technology,Beijing 100083,China

【机构】 煤炭资源与安全开采国家重点实验室； 中国矿业大学(北京)表界面化学研究所；

【摘要】 <正>静态飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)是通过分析一次离子轰击样品表面而溅射出来的二次离子,从而获得样品表面各元素、同位素、化合物组分等信息。TOF-SIMS 能同时进行无机元素和有机物的分析,具有极高的灵敏度、高分辨率,检测限为10~9个原子每平方厘米。当今 TOF-SIMS 应用涉及到化学、生物学和物理学等领域,在微电子材料、纳米材料、红外材料、生物医学等领域的研究中也起着重要作用。在国内,TOF-SIMS 已经用于分析煤、大气颗粒物等。本工作利用 TOF-SIMS 对硅元表面的污染物进行了检测。更多还原

【Abstract】 TOF-SIMS is a powerful tool for analyzing contaminants on the material surface.TOF-SIMS is used to analyze the contaminants on the silicon wafer.The results show that the contaminants on silicon surface include inorganic element of Na,Mg,Al,Si and organic contamination of alkane.The pollution on the sample is serious.更多还原