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自旋输运和巨磁电阻——自旋电子学的物理基础之一
Spin-polarized transport and giant magnetoresistance——one of physical bases of the spintronics
【作者】 邢定钰;
【Author】 Xing Ding Yu (National Laboratory of Solid State Microstructures,Nanjing University,Nanjing 210093,China)
【机构】 南京大学固体微结构物理国家重点实验室;
【摘要】 本文介绍磁性纳米结构和锰氧化物中电子的自旋极化输运和巨磁电阻效应,它们是新近发展的自旋电子学的物理基础之一.着重讨论的是以下三方面的基本物理图像:磁多层结构的巨磁电阻,铁磁隧道结的隧穿磁电阻,掺杂锰氧化物的庞磁电阻效应.
【Abstract】 An introduction to spin-polarized electron transport and giant magneto-resistance(MR)effect in magnetic nanostructures and manganese oxides is given,which is one of physical bases of the spintronics developed recently.It centers on thebasic physical picture of the giant MR in magnetic multilayers,the tunneling MR inferromagnetic tunnel junctions,and the colossal MR in doped manganites.
【Key words】 spin-polarized transport; giant magnetoresistance; magnetic nanostructures; manganites;
- 【会议录名称】 中国高等科学技术中心论文集
- 【会议名称】自旋电子学研讨会
- 【会议时间】2004-07
- 【会议地点】Beijing,China
- 【分类号】O441
- 【主办单位】中国高等科学技术中心