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化学方法制备SiO2超薄膜及其厚度的SRPES测定
【作者】 王科范； 彭成晓； 郑海务； 邹崇文； 张文华； 徐彭寿； 徐发强；
【机构】 河南大学物理与电子学院微系统物理研究所； 中国科学技术大学国家同步辐射实验室；
【摘要】 用无水 C2H5OH溶液氧化 H-钝化的 Si（001）表面得到了一层 SiO2超薄膜。原子力显微镜（AFM）用来观察氧化膜的表面形貌,结果显示其表面非常平整。同步辐射光电子能谱（SRPES）用来测定氧化膜的厚度,不同入射角得到的结果相差较大,平均厚度为0．24nm。在500℃,在此 SiO2超薄膜表面沉积1．5nm 厚的 Ge 膜可以得到尺寸均匀的高密度量子点。
- 【会议录名称】 TFC’07全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集
- 【会议名称】TFC’07全国薄膜技术学术研讨会
- 【会议时间】2007-08
- 【会议地点】中国甘肃兰州
- 【分类号】TB383.2
- 【主办单位】中国真空学会薄膜专业委员会、中国航天科技集团公司五一○研究所、表面工程技术国家级重点实验室