纳米硅对a-SiN_x：H薄膜荧光发射的影响

【作者】 刘渝珍； 陈超； 徐彭寿； 张国斌； 董立军； 陈大鹏；

【机构】 中国科学院研究生院； 中国科学技术大学； 中国科学院微电子研究所；

【摘要】 长期以来,氮化硅薄膜在半导体和微电子技术领域作为钝化,隔离,电容介质,结构材料,作为 X 射线光刻技术中的掩模支撑材料等而得到了广泛的应用。众所周知 a-SiN_x：H 薄膜通常只有在低温下可观测到可见光的发射, 近几年本课题组,开展了用低压化学汽相淀积（LPCVD）生成的富硅的氮化硅薄膜的可见光发射的研究,我们通过改变 SiH₂Cl₂和 NH₃气体的流量比,利用质量流量计控制使其分别为3：1,4：1,5：1,在电阻率为8—10Ω·cm 的单晶硅衬底上,在相同的温度900℃下沉积,制备成了一组富硅的 LPCVD— SiNx 薄膜。另外控制反应气体 SiH₂Cl₂和 NH₃的流量比使其相同,通过改变淀积温度,其淀积温度分别为800℃、850℃、900℃、950℃而获得了另一组不同结构的 a-SiN_x：H 薄膜样品。更多还原