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ITO薄膜的制备及其性能研究
【机构】 上海交通大学材料科学与工程学院;
【摘要】 采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积了 ITO 薄膜,研究了衬底温度和氧流量对 ITO 薄膜性能的影响。研究结果表明,衬底温度的提高显著改善了薄膜的光电性能,方阻由260.12 Ω/sq 降为10.20 Ω/sq,可见光区的透过率也可达到85%以上(含玻璃基底);氧流量能明显改变薄膜的性能,但过量的氧却使得 ITO 薄膜的方阻降低和透过率下降,光电性能变差。透射谱表明各参数的变化引起了明显的“B—M”效应,通过直接跃迁的模型得出并对比了各参数下 ITO 薄膜的光学禁带的变化;XRD 和 AFM 测试表征和对比了 ITO 薄膜晶体结构、表面形貌和表面粗糙度的变化。ITO 薄膜具有较高的效益指数,最大效益指数可达到18.14×10-3 Ω-1,揭示了所制备的 ITO 薄膜具有较好的光电性能。当优化溅射条件为工作气压0.5 Pa、氧流量0.3 sccm、直流溅射功率45 W、沉积速率8 nm/min 和衬底温度300 ℃以上时,可获得方阻10~20 Ω/sq 和可见光透过率85%以上的 ITO 薄膜。
- 【会议录名称】 TFC’07全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集
- 【会议名称】TFC’07全国薄膜技术学术研讨会
- 【会议时间】2007-08
- 【会议地点】中国甘肃兰州
- 【分类号】TB383.2
- 【主办单位】中国真空学会薄膜专业委员会、中国航天科技集团公司五一○研究所、表面工程技术国家级重点实验室