ZnO纳米线异质结的构建

【作者】 孙明华； 张琦锋； 孙晖； 张文静； 沈昕； 张俊艳； 邓天松； 王全； 吴锦雷；

【机构】 北京大学电子学系；

【摘要】 <正>纳米尺度的ZnO同质结发光器件正受到越来越多人的关注。一般我们生长得到的ZnO纳米线是n 型的,由于自补偿,低溶解度,深缺陷能级,结构双稳性等等原因使得ZnO的P型掺杂非常困难的。近几年来,很多小组已经利用I和V族元素作为受主成功地实现了ZnO的P型掺杂,其中一些工作是通过掺杂砷元素得到的,且实验证明砷化镓是非常好的砷源。我们是以砷化镓作为砷源通过退火的方法进行掺杂从而得到P型的ZnO纳米棒阵列。通过控制退火时间的长短以及退火温度的高低可以得到不同砷更多还原