【作者】 马占洁； 陈光华； 何斌； 刘国汉； 朱秀红； 张文理； 李志中； 郜志华； 宋雪梅； 邓金祥；

【Author】 Ma Zhanjie, Chen Guanghua, He Bin, Liu Guohan, Zhu Xiuhong, Zhang Wenli, Li Zhizhong, Cao Zhihua, Song Xuemei and Deng Jinxiang The Key Laboratory of Advanced Functional Materials, Beijing University of Technology, Beijing, 100022, China; School of Physics Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou ,730000, China

【机构】 北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室； 兰州大学物理科学与工程学院；

【摘要】 用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积制备样品,通过红外吸收谱图和光衰退图,分析影响a-Si:H薄膜光衰退稳定性的因素:一方面,非晶硅网格中氢含量、氢硅键合方式以及氢的运动情况均对非晶硅材料的稳定性起着十分重要的作用,另一方面,在非晶硅的基体上生长少量微晶硅,可提高薄膜的稳定性。最终希望能通过两者的结合来探讨如何制备高光敏性和低光致衰退的非晶硅薄膜。更多还原

【Abstract】 Various factors responsible for light degradation stability of a-Si: H films, grown by hot filament assisted microwave electron synchrotron resonance chemical vapor deposition( MWECR CVD), were analyzed with Fourier infrared spectroscopy( FTIR)and light degradation curves.The results show that hydrogen content,H-Si bonding modes and hydration movement significantly affect the stability of a-Si material. We found that thin layer of Si crystalline micro-grain grown on a-Si substrate considerably improves the stability.更多还原