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基于FBAR技术的A1N薄膜的研究

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【作者】 石哲王德苗董树荣

【机构】 浙江大学信电系薄膜研究室

【摘要】 <正> 无线数据通讯的快速发展要求有更高频率和更小体积的滤波器,传统的陶瓷滤波器和SAW已难以满足性能需要,薄膜体声波滤波器(FBAR)具有低插损、高功率容量和良好的高频特性,被认为是GHz频段理想的解决方案。FBAR技术的关键在于薄膜的制备和性能。本文研究了反应直流磁控溅射法制备AIN薄膜,分析了制备工艺与薄膜性能之间的关系。本实验以清洁的玻璃基片为基底,在不同的溅射功率下溅射Al,同时通入一定比率的

  • 【会议录名称】 TFC’05全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集
  • 【会议名称】TFC’05全国薄膜技术学术研讨会
  • 【会议时间】2005-09
  • 【会议地点】中国大连
  • 【分类号】TB383
  • 【主办单位】中国真空学会薄膜专业委员会、大连理工大学三束材料改性国家重点实验室
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