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原子层沉积技术及其应用
【机构】 华南理工大学电子与信息学院；
【摘要】 <正> 随着纳米科技的发展,以及半导体集成电路对器件小型化的要求,迫切需要具有高精度、纳米级厚度等性能的薄膜材料。这对薄膜制备技术提出更高的要求,传统化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)很难满足要求。在基于PVD的原子层外延(ALE:Atomic Layer Epitaxy)技术的基础上,为了满足制作基于薄膜电致发光(TFEL)的高质量、大面积平板显示器的需要,芬兰的Suntola博士和他的同事改进了ALE技术,基于CVD的方法最先形成了最初的原子层沉积(ALD:Atomic LayerDeposition)薄膜制备方法。
- 【会议录名称】 TFC’05全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集
- 【会议名称】TFC’05全国薄膜技术学术研讨会
- 【会议时间】2005-09
- 【会议地点】中国大连
- 【分类号】TB43
- 【主办单位】中国真空学会薄膜专业委员会、大连理工大学三束材料改性国家重点实验室