单结GaAs量子阱太阳能电池

【作者】 娄朝刚； 向兵； 孙强； 张晓兵； 雷威；

【机构】 东南大学电子工程系； 河南大学物理与信息光电子学院； 中国电子科技集团公司第十八研究所；

【摘要】 <正> GaInP/GaAs/Ge三结太阳能电池的转换效率已经接近30%(AM0).进一步提高电池的效率受到材料禁带宽度与晶格匹配的限制。如何解决这个问题一直是人们的努力目标。量子阱电池利用应变层较好地解决了晶格匹配的问题,同时引入了中间能级,电池长波响应得到扩展,提高了短路电流,为解决禁带宽度与晶格匹配的矛盾提供了一个方法。我们采用MOCVD方法制备了p-i-n GaAs太阳能电池。在电池的本征区中加入了InGaAs/GaAsP量子阱结构。X—射线双晶衍射表明电池中的材料缺陷较少,具有良好结晶质量与周期性。光谱更多还原