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晶体结构对Er/Yb共掺ZnO薄膜光致荧光光谱的影响
【机构】 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室；
【摘要】 <正> Er3+离子内层4f电子跃迁表现为1.54μm波段的近红外发射,对应着硅基光纤通讯的最低损耗窗口,在光通讯领域得到了广泛的应用。为此,各国学者对不同基质的Er掺杂材料进行了广泛地研究,取得了一些重要研究成果。本文采用脉冲磁控溅射技术制备了Er/Yb共掺ZnO薄膜,对不同退火温度下薄膜晶体结构和光致荧光（PL）光谱进行了系统分析,探讨了退火处理对薄膜晶体结构变化、反应新相的生成以及Er3+离子激活、薄膜PL光谱的影响。研究结果表明,退火处理所导致的Er3+离子PL
- 【会议录名称】 TFC’05全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集
- 【会议名称】TFC’05全国薄膜技术学术研讨会
- 【会议时间】2005-09
- 【会议地点】中国大连
- 【分类号】TB383
- 【主办单位】中国真空学会薄膜专业委员会、大连理工大学三束材料改性国家重点实验室