原子层淀积技术及其在微电子薄膜中的应用

【作者】 张卫；

【机构】 复旦大学微电子学系；

【摘要】 <正> 原子层淀积(atomic layer deposition,简称ALD)是一种气相生长纳米薄膜的方法,它的原理是基于饱和的表面反应。与其他化学气相淀积薄膜方法截然不同的是,ALD工艺中反应源是脉冲交替通入反应腔的,一次只通入一种反应源,二次反应源脉冲之间被惰性气体清洗或者抽真空隔开。每个反应源通入时在衬底表面形成一个饱和的单原子层,这将产生自限制的薄膜生长机理。可以看出,原子层淀积是化学气相淀积(CVD)的一种特殊改进,它的最大特点是自限制薄膜生长机理。这使得ALD技术有很多吸引人的特点,如薄膜厚度控制简便而精确,界面分明,大面积均匀性好,优异的保形性,良好的重复性,多层工艺能力,以及低温下制备高质量的薄膜等。更多还原