节点文献
PECVD法制备a-Si1-xCx:H薄膜的结构及光学性能研究
【机构】 浙江大学材料系硅材料国家重点实验室；
【摘要】 碳化硅是近年来受到广泛重视的新一代半导体材料,由于其在禁带宽度、高电子饱和漂移速度和高击穿临界场强、高热导率、抗高温、抗辐射以及与硅集成技术兼容等特点,是制备发光、光电探测、大功率、超高频等等器件的优选材料。而a-Sil-xCx:H同样具有宽带隙等特点,可制成发光二极管;作为太阳能电池的窗口材料能显著提高太阳能电池的转换效率。这种材料的优越之处就在于其禁带宽度能随着薄膜中碳和氢的含量的变化而发生改变。因此,深入了解薄膜中的键合情况及其对薄膜光学带隙的影响就显得尤为重要。
【基金】 国家自然科学基金(50372057和50332030);教育部高等学校博士学科点专项科研基金(20020335017)资助
- 【会议录名称】 中国真空学会第六届全国会员代表大会暨学术会议论文摘要集
- 【会议名称】中国真空学会第六届全国会员代表大会暨学术会议
- 【会议时间】2004-11
- 【会议地点】中国杭州
- 【分类号】TB383
- 【主办单位】中国真空学会