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直流磁控溅射法制备In2O3:Mo透明导电氧化物薄膜
【机构】 复旦大学材料科学系；
【摘要】 高迁移率透明导电氧化物(TCO)薄膜在透明电子学中具有重要的作用,因为它能够保证透明电子器件具有高的运行速度。因此,开展研究具有高迁移率的透明导电氧化物薄膜不仅具有理论意义而且具有应用价值。反应蒸发法制备的掺钼氧化铟In2O3:Mo(IMO)薄膜由于具有较高的载流子迁移率同时具有良好的光学透明性从而受到了较大的重视[1]。本文介绍采用直流磁控溅射法制备具有良好结晶性和高载流子迁移率I M O薄膜的条件。研究和讨论氧分压、基板温度和溅射电流等制备参数对薄膜光电性能的影响。
- 【会议录名称】 中国真空学会第六届全国会员代表大会暨学术会议论文摘要集
- 【会议名称】中国真空学会第六届全国会员代表大会暨学术会议
- 【会议时间】2004-11
- 【会议地点】中国杭州
- 【分类号】TB383
- 【主办单位】中国真空学会