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M:Zn2SiO4/Si发光薄膜的制备与表征
【作者】 季振国； 赵士超； 刘坤； 宋永梁； 向因； 叶志镇；
【机构】 浙江大学硅材料国家重点实验室；
【摘要】 <正> 半导体硅材料是现代电子工业最重要的材料,它具有性能优越、工艺成熟、原料丰富、价格便宜等多方面的优点。但是,硅材料是否可以继续拓宽性能进入光电子及光子器件领域,是否继续在以光为传输媒体的21世纪继续发挥作用目前还不能下肯定的结论。虽然硅基材料的发光方面取得了一些进展,如发光多孔硅,富硅的二氧化硅,硅氧超晶格、低维硅结构、掺Er-0的硅材料、硅化铁、
【基金】 国家基础研究发展规划项目 No.G2000683;国家自然科学基金 No.90201038
- 【会议录名称】 TFC’03全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集
- 【会议名称】TFC’03全国薄膜技术学术研讨会
- 【会议时间】2003-09
- 【会议地点】中国浙江宁波
- 【分类号】TB43
- 【主办单位】中国真空学会薄膜专业委员会、宁波市科技局、宁波市科技园、浙江大学、清华大学、北京北仪创新真空技术有限责任公司