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纳米碳化硅薄膜研制及其场发射特性研究

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【作者】 廖波王静静陆姗姗严辉王波

【机构】 北京理工大学信息学院北京工业大学材料学院

【摘要】 <正> 本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,在单晶SiC衬底上分别制备出非晶SiC薄膜,及不同晶粒尺寸的纳米立方相SiC(β-SiC)薄膜。并通过控制参数,在较低的衬底温度下成功获得不同尺寸的纳米β-SiC薄膜。在本工作中,着重研究了主要工艺参数对纳米β-SiC薄膜生长特性的影响。实验结果表明:选择适当的衬底温度,使沉积粒子在衬底表面即充分扩散,又不形成大

【关键词】 PECVDβ-SiC负偏压场致电子发射
  • 【会议录名称】 TFC’03全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集
  • 【会议名称】TFC’03全国薄膜技术学术研讨会
  • 【会议时间】2003-09
  • 【会议地点】中国浙江宁波
  • 【分类号】TB383
  • 【主办单位】中国真空学会薄膜专业委员会、宁波市科技局、宁波市科技园、浙江大学、清华大学、北京北仪创新真空技术有限责任公司
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