高k栅介质薄膜材料研究进展

【作者】 马春雨； 李智； 张庆瑜；

【机构】 大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室； 东北大学材料与治金学院；

【摘要】 <正> 微电子技术目前已成为信息技术发展的核心和基础。随着信息技术的发展,集成电路（IC）和超大规模集成电路（ULSI）将发展成为系统芯片（SOC）,在单个芯片上集成数目更多的器件,可以把电路更加复杂、性能更加完善的电子系统集成在一个芯片上。作为SOC关键元件之一,金属—氧化物—半导体场效应晶体管（MOSFET）,要求其器件特征尺寸越来越小。SiO₂薄膜作为性能优良的栅绝缘介质材料,一直得到广泛的使用。然而,随着器件特征尺寸的进一步缩小,当光刻更多还原