表面薄氧化物薄膜层对坡莫合金薄膜磁电阻的影响

【作者】 王蕾； 王凤平； 潘礼庆； 吴平； 邱宏； 刘还平； 田跃；

【机构】 北京科技大学；

【摘要】 <正> 用电子束蒸发方法制备了系列坡莫合金Ni80Fe20薄膜,基片为Si(111),在其表面热氧化一层约500纳米厚的SiO2。沉积温度为室温。本底真空约为6×10-4Pa。灯丝电流0.6A。所有薄膜沉积速率均为20A/min,薄膜厚度约为300A。退火温度分别为200℃,250℃和300℃。采用四探针探测技术测量了薄膜的电阻和磁电阻。薄膜厚度采用扫描电了显微镜测量。用X射线衍射方法分析了薄膜的结构,同时用原子力量微镜观察了薄膜的表面形态。结果表明:退火前的薄膜仅在[111]方向出现了非常弱的X射线衍射峰,县城薄膜表面下有许多空洞,晶粒也很小。随着退火温度的升高,不仅(111)衍射峰明显增强,县城薄膜表面空洞减小,晶粒显著长大。结构的不同导致了薄膜物理性质的显著差别。这一点从薄膜的电阻和磁电阻结果明显可见。用四探针探测技术测量了在不同退火温度下的Ni80Fe20,薄膜的面电阻,并采用下面公式计算了薄膜的电阻率;更多还原