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取向碳纳米管阵列的低场大电流密度场发射
【机构】 北京大学电子学系；
【摘要】 <正> 在4.6×10-7Pa超高真空条件下,对取向碳纳米管阵列的场发射特性进行了研究。场发射电流I=2μA时,测量得到场发射开启电场强度为0.55V/μm;对样品200℃加热烘烤5小时除气,测量其场发射I-V关系并计算得到Folwer-Nordheim关系曲线;当取向碳纳米管样品上的场强为2V/μm时,测得其场发射电流密度为1.5mA/cm2;场发射的Fowler-Nordheim关系曲线呈线性关系,表明碳纳米管场发
- 【会议录名称】 2001年纳米和表面科学与技术全国会议论文摘要集
- 【会议名称】2001年纳米和表面科学与技术全国会议
- 【会议时间】2001-05
- 【会议地点】中国北京
- 【分类号】TB383
- 【主办单位】中国真空学会表面与纳米科学与技术专业委员会、中国科学院物理研究所北京真空物理开放实验室