Ge/Si异质结构纳米晶粒及电荷存储特性研究

【作者】 施毅； 杨红官； 吴军； 袁晓利； 顾书林； 张荣； 沈波； 韩平； 郑有炓；

【机构】 南京大学物理系和固体微结构物理国家重点实验室；

【摘要】 <正> 近年来,人们在纳米晶粒浮栅结构的MOSFET存储器研究方面已经做了大量的工作。这类存储器具有高密度、低功耗、多阈值、易与逻辑电路集成等特点,被认为是将首先在大规模集成电路中得到应用的纳米量子功能器件。目前,在纳米晶粒的MOSFET存储器应用前,仍有许多问题待以解决,特别是擦写时间和存储时间之间的矛盾。原理上,直接隧道氧化层厚度是影响存储器的擦写和存储更多还原