【作者】 林聚承； 袁祥辉；

【Author】 Lin Jucheng; Yuan Xianghui(Key Lab of Photoelectric Technique and System of MOE,Chongqing University, Chongqing 400044,China)

【机构】 重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室；

【摘要】 主要阐述了一种新型PPIN结构的硅光电二极管,采用N型硅衬底,经过氧化光刻后,先作一次很薄淡硼扩散,再进行浓硼扩散,这样形成高低发射结的方法,减薄死层厚度,减少光生载流子的复合,以提高光电转换效率。更多还原

【Abstract】 A new P~+ PIN type Si photodiode is presented. After oxidation and photo fabrication on a Ntype Si substrate, it is diffused by a thin P layer, and then made by a thick P~+ again. So it formed a low-high emitter junction and reduced the inactive layer, decreased the photo-induced carrier’s recombination, enhanced the conversion efficiency.更多还原