【作者】 曲炳郡； 任天令； 刘华瑞； 刘理天； 库万军； 李志坚；

【Author】 Qu Bingjun Ren Tianling Liu Huarui Liu Lilian Ku Wanjun Li Zhijian (Institute of Microelectronics of Tsinghua University, Beijing 100084 , China )(Huaxia Mag. Elec. Corp. , Shenzhen 518081, China)

【机构】 清华大学微电子学研究所； 深圳市华夏磁电子公司；

【摘要】 利用磁控溅射法,制备了一种上钉扎的标准自旋阀结构:Ta（6nm）/Ni₈₁Fe₁₉/Co₉₀Fe₁₀（1nm）/Cu（1.8nm）/Co₉₀Fe₁₀（3.5nm）/Ir₂₀Mn₈₀（8nm）/Ta（6nm）,并研究了自旋阀结构中Ni₈₁Fe₁₉层厚度对自旋阀巨磁电阻变化率的影响,发现:巨磁电阻变化率对于Ni₈₁Fe₁₉层厚度具有强烈的依赖性。当Ni₈₁Fe₁₉层厚度位于2～6nm和7～12nm两个范围时,巨磁电阻变化率分别维持在较高（约8.34%）和较低（约3.34%）的两个水平,而当Ni₈₁Fe₁₉层厚度从6nm增加到7nm时,巨磁电阻变化率急剧降低,达5%。由此可见,为了得到高磁阻变化率,此类自旋阀结构中的Ni₈₁Fe₁₉层厚度不能超过6nm。更多还原

【Abstract】 A conventional spin valve with top-pinned structure of Ta(6nm)/Ni81Fe19/Co9oFe10(lnm)/Cu(l. 8nm)/ Co90Fe10(3. 5mm)/Ir20Mn80(8nm)/Ta(6nm)is prepared using a multi-gun magnetron sputtering system with ultra-high-vacuum chambers. Influence of Ni81Fe19 layer thickness on the giant magnetoresistance(GMR) is investigated experimentally. With Ni81Fe19 thickness increased from 6nm to 7nm,the magnetoresistance ratio decreases abruptly from 8. 34% to 3. 34% ,whereas it changes slightly within the thickness ranges from 2 to 6nm and from 7 to 12nm,Thus,in order to obtain a spin valve with high magnetoresistance ratio, the Ni81Fe19 thickness has to be less than 6nm.更多还原