材料参数对InGaAs红外探测器ROA影响的研究

【作者】 时宝； 殷景志； 李龙海； 高福斌； 纪永成； 杜国同； 金亿鑫；

【机构】 吉林大学电子科学与工程学院； 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所；

【摘要】 <正>1～3μm短波红外（SWIR）探测器在空间遥感、成像和光谱分析等方面有着广泛的应用,目前主要集中研制的非制冷红外焦平面阵列 InGaAs 探测器具有可室温工作、暗电流小和探测率高等优点被广泛关注。表征红外探测器性能的重要特征参数之一探测率由 R₀A（零偏压电阻与面积的乘积）决定,它受 Auger、辐射、产生.复合和隧穿这四种最基本的噪声机制影响,而各种噪声与材料参数密切相关。通过对图1所示的同质 p-n 结 InGaAs 光伏探测器进行计算机模拟,获得了不同噪声机制的 R₀A 与 p 区和 n 区载流子浓度、σN_t（俘获截面和复合中心密度的乘积）、厚度和表面复合速度的关系。结果显不①在σ N_&gt;0.01cm^-1条件下,R₀A 主要由（R₀A）_GR限制,且（R₀A）_GR随 n 区载流子更多还原